科学家声称他们能够开发出高质量薄膜单晶硅，厚度约10μm，晶体缺陷密度也有所降低。硅的密度已经降低到了硅晶圆纯度的水平。
研究小组解释说，具有高结晶质量的单晶薄膜是通过区域加热重结晶法(zhr法)使硅片表面粗糙度达到0.2至0.3nm而获得的。“使用双层多孔硅层可以容易地剥离生长的薄膜，而且得到的基底可以被再利用或者用作薄膜生长的蒸发源，这大大减少了材料的损耗。”
据科学家介绍，这一实验过程同时还证明了在0.1-0.2nm范围内的硅片表面粗糙度对晶体缺陷密度的形成具有重要的影响。
科学家声称他们能够开发出高质量薄膜单晶硅，厚度约10μm，晶体缺陷密度也有所降低。硅的密度已经降低到了硅晶圆纯度的水平。
研究小组解释说，具有高结晶质量的单晶薄膜是通过区域加热重结晶法(zhr法)使硅片表面粗糙度达到0.2至0.3nm而获得的。“使用双层多孔硅层可以容易地剥离生长的薄膜，而且得到的基底可以被再利用或者用作薄膜生长的蒸发源，这大大减少了材料的损耗。”
据科学家介绍，这一实验过程同时还证明了在0.1-0.2nm范围内的硅片表面粗糙度对晶体缺陷密度的形成具有重要的影响。
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