是一种新型的高效太阳能电池，其制备工艺包括清洗制绒、正面硼扩散、刻蚀去硼硅玻璃(bsg)和背结、氧化层钝化接触制备、正面氧化铝/氮化硅沉积、背面氮化硅沉积、丝网印刷、烧结和测试。
在这个制备过程中，topcon电池的核心工序是正面氧化铝/氮化硅沉积和背面氮化硅沉积。正面氧化铝/氮化硅沉积是通过丝网印刷和烧结来完成的，而背面氮化硅沉积是在水分蒸发之后自动进行的。最后，通过测试和筛选，topcon电池就制备完成了。
不同的技术路线会对topcon电池的制备产生不同的影响，topcon电池的制备的五种技术路线：
lpcvd：这种技术路线利用lpcvd设备生长氧化硅层并沉积多晶硅，再利用扩散炉在多晶硅中掺入磷制成pn结，形成钝化接触结构后进行刻蚀。这种技术路线的优点是产量高，直接制备n型多晶硅层。但缺点是会产生绕镀现象，效率较低。
lpcvd离子注入：这种技术路线利用lpcvd设备制备钝化接触结构，再通过离子注入机精准控制磷在多晶硅中的分布实现掺杂，随后进行退火处理，最后进行刻蚀。这种技术路线的优点是效率高，缺点是成本较高。
pecvd原位掺杂：这种技术路线利用pecvd设备制备隧穿氧化层并对多晶硅进行原位掺杂。这种技术路线的优点是不会产生绕镀现象，效率较高。但缺点是成本较高，而且容易出现气泡等问题。
pvd原位掺杂：这种技术路线利用pvd设备，在真空条件下采用溅射镀膜，使材料沉积在衬底表面。这种技术路线的优点是不会产生绕镀现象，效率较高，而且成本较低。但缺点是对于沉积膜的均匀性控制比较困难，而且生成的电池质量不够稳定。
在原有的perc电池基础上改进：这种技术路线是在原有的perc电池基础上进行改进，增加topcon电池的制备工序，从而制备出topcon电池。这种技术路线的优点是在现有的电池基础上进行改进，可以降低成本，而且可以提高效率。但缺点是增加了制备工序，会增加制备难度和时间。
综上所述，topcon电池的制备可以采用不同的技术路线，具体的选择取决于厂家的实际情况和需求。