的制造工艺流程有哪些?共计有9步：制造背场、清洁晶圆、生长n-a-si层、制造p型衬底、生长p型层、制造m面、制造的背面、钝化、分离。
1、制造背场：使用氢氧化钾(koh)去除c-si晶片切割过程中的锯损伤，然后使用扩散法在电池正面形成一层三溴化硼(bbr)。
2、清洁晶圆：使用湿化学法去除背面的三溴化硼，并通过施加硝酸和氢氟酸(hf/hno)去除背面的杂质，最后通过湿化学浸渍产生超薄氧化层。
3、生长n-a-si层：通过等离子体增强化学气相沉积(pecvd)工艺生长磷掺杂的非晶硅(n-a-si：h)层，然后在900ºc退火后将其转化为npoly-si层。
4、制造p型衬底：使用氧化硅(siox)或氮化硅(sinx)等材料制造p型衬底，作为下一步生长n-a-si层的支撑。
5、生长p型层：在p型衬底上使用氧化还原法生长一层高质量的n-a-si层，厚度约为100-200纳米。
6、制造m面：在n-a-si层上使用电化学沉积工艺制造一层金属铝(al)涂层，作为topcon电池的正面金属接触面。
7、制造topcon电池的背面：在电池背面使用水氧化物(h2o)或氢氧化物(oh)等材料，通过施加电压形成一层透明导电膜。
8、钝化：使用湿化学法在topcon电池背面形成一层钝态薄膜，以增加电池的循环寿命。
9、分离：将topcon电池从衬底上分离，并进行检测和分选。
以上就是topcon9步工艺流程共：制造背场、清洁晶圆、生长n-a-si层、制造p型衬底、生长p型层、制造m面、制造topcon电池的背面、钝化、分离。希望能给你带来帮助。