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捷佳伟创射频微晶p高速率高晶化率镀膜工艺再获突破-米乐app官方

发表于:2023-08-03 09:37:46     来源:捷佳伟创

近日,常州中试线成功研发出具有行业先进水平的射频(rf)微晶p工艺,微晶p薄膜沉积速率超过2埃/秒,同时晶化率稳定在50%以上。常州中试线制备的基于双面微晶的12bb电池平均效率达到25.1%(德国isfh(哈梅林)标准),电池良品率稳定在98%以上。

射频(rf)微晶p的高速高质量沉积,一直是困扰异质结大产能板式pecvd的技术难点,通过本次技术突破,捷佳伟创的大产能射频板式pecvd预计将比市面上主流设备减少1-2个微晶p腔体。射频(rf)微晶p设备工艺均匀性达到6%以内,稳定性和重复性均在中试线量产设备上得到充分验证,达到行业先进技术水平。

一直以来,捷佳伟创在积极推进hjt的产业化发展。公司在湿法设备、pecvd/cat-cvd、pvd/rpd/par、丝网印刷/铜电镀/新型组件焊接设备方面进行深入研究,具备hjt电池整线交钥匙工程的能力。公司近期已中标全球头部光伏企业量产型hjt整线订单,标志着公司在hjt全路线装备和工艺技术上取得突破,获得市场及客户认可。

此次射频(rf)微晶p高速率高晶化率工艺取得突破,进一步增强了公司在hjt设备领域的竞争优势。捷佳伟创始终坚持实干与创新为一体,坚持“逢山开路,遇河架桥”的创新精神,积极改革设备技术、持续扩大研发范围,为光伏行业的稳定发展注入生生不息的源动能。


责任编辑:周末
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